記憶體報價漲勢估不變

記憶體報價漲勢估不變
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展望2024年,業者樂估,大廠產能擴張仍屬節制,記憶體報價將維持上漲趨勢不變。圖/freepik

手機相關記憶體均價漲幅預估

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記憶體產業走過整個2023年,由「去庫存」轉至「補庫存」,加上AI高速運算所需搭配高頻寬記憶體(HBM)需求大增,國際大廠包括三星、SK海力士等稼動率逐漸恢復,展望2024年,業者樂估,大廠產能擴張仍屬節制,記憶體報價將維持上漲趨勢不變。

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據業界瞭解,2023年11~12月期間,隨PC及手機回補庫存需求帶動,SK海力士及威騰分別提升DRAM及 NAND Flash工廠稼動率。

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三星及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量,也在2023年第四季恢復至2022年第四季的高峰,但稼動率雖有所提升,產品報價尚未回到成本之上。

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在資本支出方面,2023年產業界出現上修消息的企業,爲中國大陸的長鑫存儲及長江存儲。其中,長鑫存儲在獲得美國許可投資19nm DDR3/DDR4後,即展開積極擴產,預計2024年上半年投放合肥二期及北京二期新廠。

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長江存儲則在美國製裁下,自行研發第二代128層NAND Flash製程(X2),並培植本土設備供應鏈,預計在2024年重啓擴產。

研調機構預估,2024年DRAM資本支出將和2023年相當,NAND資本支出則低於2023年約7%~9%,並未有大幅擴產現象。

截至2023年第四季,DRAM及NAND產能利用率,僅在先前高峰時的75%~80%、60%~65%,而原廠資本支出,將主要用於1b/1c nm製程擴充,以及HBM/200L 3D NAND相關需求。

業界人士指出,近期記憶體報價趨於穩定,主因季節性淡季需求減緩,交易行情冷清,但各大原廠在虧損下,漲價意圖堅決,因此,在未回到成本之上前,預期記憶體報價漲勢趨勢不變。

中國大陸手機備貨需求暢旺,TrendForce上修2024年第一季手機相關記憶體報價展望,將Mobile DRAM漲幅從原本預估的上漲8%~13%,上修至18%~23%,將eMMC/UFS漲幅,由原本的5%~10%,上修至18%~23%,即是一例。

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